Diseño de un Amplificador de potencia CMOS de Clase 1 para Aplicaciones Bluetooth

Autores/as

DOI:

https://doi.org/10.31381/perfiles_ingenieria.v12i12.812

Palabras clave:

Power amplifier, Class-1 Bluetooth applications

Resumen

Un amplificador de potencia de dos etapas de clase AB en cascada operando a 2.4Ghz fue diseñado para un proceso de CMOS de 130nm para aplicaciones Bluetooth de Clase-1. El amplificador de poder fue polarizado en una clase AB para un mejor punto medio entre linealidad y eficiencia. El amplificador de potencia propuesto tiene una eficiencia total de 39.6%, una ganancia de potencia de 25dB y una salida de poder de 20dBm.

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Biografía del autor/a

Sergio Ochoa Castillo, Centro de Tecnologia da Informação Renato Archer, Brasil.

Ingeniero graduado con experiencia en Radiodifusión y microelectrónica.

Citas

Mohammed Fakhruddin, Mao Chyuan Tang, Jeff Kuo, James Karp, David Chen, C S Yeh, and S C Chien, “Hot Carrier Degradation and Performance of 65nm RF n- MOSFET” Radio Frequency Integrated Circuits (RFIC) Symposium, 2007 IEEE.

E. Cijvat; H. Sjoland ”A fully integrated 2.45 GHz 0.25µm CMOS power amplifier”. Electronics, Circuits and Systems, 2003. ICECS 2003. Proceedings of the 2003 10th IEEE International Conference on.

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Publicado

2017-08-29

Cómo citar

Ochoa Castillo, S., Ponchet, A. F., & Panepucci, R. (2017). Diseño de un Amplificador de potencia CMOS de Clase 1 para Aplicaciones Bluetooth. Perfiles De Ingeniería, 12(12), 69–71. https://doi.org/10.31381/perfiles_ingenieria.v12i12.812

Número

Vol. 12 Núm. 12 (2016): Perfiles de Ingeniería

Sección

Ingeniería Electrónica

Licencia

Derechos de autor 2017 Sergio Ochoa Castillo, André F. Ponchet, Roberto Panepucci

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